C-MOSI temeljen IR emitter, TO39 z reflektorjem, odprt

IR-Emitter z visoko modulacijsko frekvenco za množične trge v NDIR analizi plinov - Stroškovno učinkovit infrardeči emitter JSIR340-4 je optimiziran za NDIR analizo plinov in druge infrardeče merilne aplikacije, kot so DIR spektroskopija, ATR spektroskopija ali PAS spektroskopija. Membrana IR emitterjev, temelječih na cmOS, doseže temperaturo membrane do 800 °C. Omogoča dolgotrajno stabilno sevanje za industrijske aplikacije za nadzor in spremljanje procesnih plinov ter spremljevalnih plinov pri temperaturah okolice med -20 in 85 °C. Različica pakiranja v standardnem TO ohišju s pokrovom je primerna za merilne razdalje do 2 cm. MEMS čip, uporabljen v naših IR emitterjih, je sestavljen iz večplastne grelne membrane, ki vsebuje visoko temperaturno stabilno kovinsko C-MOSI plast. Emitter čip ima aktivno površino 2.2 x 2.2 mm² in temelji na silicijevem substratu z membrano, ki je jedkana na zadnji strani. Aktivna C-MOSI uporna plast je zaščitena pred staranjem in vplivi okolja. Ohišje: TO39 Dodatno: Reflektor Okno: brez Polnilni plin: brez Aktivna površina čipa: 2.2 x 2.2 mm² Temperatura min. °C: -20 Temperatura max. °C: 85 Tehnologija: C-MOSI